KLL resonant auger electron emission from silicon compounds in solid phase

馬場 祐治; 山本 博之; 佐々木 貞吉

Surface Science, 307-309, p.896 - 900, 1994/00

https://doi.org/10.1016/0039-6028(94)91511-3

固体シリコン化合物(Si単結晶、SiO、SiC)にSi1s近傍の放射光を照射し、内殻軌道から外殻の非占軌道への共鳴励起に伴うオージェ電子スペクトルを測定した。SiOから放出されるSiKLLオージェピークは、放射光のエネルギーがSi1sSi3p共鳴吸収近くになると、終状態が+2価のノーマルオージェ電子と、終状態が+1価の共鳴オージェ電子の2本に分裂することを見出した。共鳴オージェ電子のピーク位置は、照射する放射光のエネルギー増加に比例して高エネルギー側にシフトする。一方、Si単結晶、SiCでは共鳴吸収近くの励起エネルギーにおいてもオージェピークの分裂は認められなかった。このような共鳴オージェ過程の差異について、非占軌道のエネルギー分布や価電子による内殻正孔のエネルギー緩和過程等との関連において議論した。